琉化鋅晶體光學材料

簡要描述：琉化鋅晶體光學材料：作為一個重要的二，六化合物半導體，硫化鋅納米材料已經引起了極大的關注，不僅因為其出色的物理特性，如能帶隙寬，高折射率，高透光率在可見光范圍內，而且其巨大的潛力應用光學，電子和光電子器件。

產品型號：ZnS
更新時間：2025-03-12
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光學元器件

光學晶體光譜和測試類鏡片光纖光柵激光鏡片測量和記錄溫度的鏡片材料和鍍膜

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產品簡介

品牌	其他品牌	供貨周期	兩周
應用領域	環保,化工,電子/電池

詳細介紹

琉化鋅晶體光學材料作為一個重要的二，六化合物半導體，硫化鋅納米材料已經引起了極大的關注，不僅因為其出色的物理特性，如能帶隙寬，高折射率，高透光率在可見光范圍內，而且其巨大的潛力應用光學，電子和光電子器件。硫化鋅具有優良的熒光效應及電致發光功能，納米硫化鋅更具有的光電效應，在電學、磁學、光學、力學和催化等領域呈現出許多優異的性能，因此納米硫化鋅的研究引起了更多人的重視，尤其是1994年Bhargava報道了經表面鈍化處理的納米ZnS：Mn熒光粉在高溫下不僅有高達18% 的外量子效率，其熒光壽命縮短了5個數量級，而且發光性能有了很大的變化，更為ZnS在材料中的應用開辟了一條新途徑?？捎糜谥瓢咨念伭霞安ＡАl光粉、橡膠、塑料、發光油漆等。

Zinc sulfide is commonly used for IR optics, substrates and as a source for evaporation.

琉化鋅晶體光學材料Basic properties

Structure:	Cubic (zincblende)
Density:	4.08 g/ cm³
Knoop Hardness:	210 kg/ mm²
Young’s Modulus:	10.8 Mpsi
Poisson Ratio:	0.27
Coef. of Thermal Expansion:	6.8×10-6/K
Specific Heat:	0.469 J/gK
Thermal conductivity (at 25 °C):	0.16 W/cmK
Max. Transmittance (λ=7-12 μm):	≥ 71 %
Absorption Coef. (λ=10.6 μm):	≤0.15 cm-1(including 2 surfaces)
Thermo-Optic Coef. (dn/dT):	4.7 (λ =10.6 μm)
Refractive index (λ=10.6 μm):	2.34
Electrooptical coefficient r41 (λ=10.6 μm):	2×10-12 m/V
Max. crystal diameter/length:	?38×30 mm

ZnS Transmission

Products

ZnS rods, wafers and substrates

Diameter/Width	1-38 mm
Thickness/length	0.1-150 mm
Orientation	(110)
Surface quality	As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830

ZnS crystal pieces for vapour deposition.

Purity	99.995%, 99.999%
Particle size	0.01- 10 mm

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